Yapay zeka sistemlerinde kullanılabilecek yeni bellek tasarımı, 10 milyar yazma döngüsüne ulaşarak önceki AlScN tabanlı çözümlerin çok ötesine geçti. Araştırmacılar dayanıklılıktaki artışı, malzeme içindeki nitrojen boşluklarını azaltarak sağladı.