A Samsung Eletronics apresentou nesta terça-feira (4) uma nova geração de tecnologia de memória para inteligência artificial, buscando reforçar sua liderança na fabricação de chips no mercado de IA.A maior fabricante mundial de chips de memória escolheu a conferência Future of Memory and Storage (FMS) deste ano, em Santa Clara, na Califórnia, para apresentar seu protótipo V10 Bonding V-NAND, ou BV-NAND. O chip possui mais de 400 camadas e uma nova arquitetura de colagem de wafers para aumentar a densidade de armazenamento e impulsionar o desempenho.Com a expansão das cargas de trabalho de IA, que vão além do treinamento de grandes modelos de linguagem e abrangem também o processo de geração de respostas a consultas de usuários, a demanda por memória NAND de alta capacidade aumentou. A memória flash NAND é usada para armazenar dados como fotos, vídeos e aplicativos em dispositivos como smartphones. Leia Mais EUA investigam Samsung por suposta violação de patentes de chips de memória Boom global de IA gera greve iminente e divisões profundas na Samsung Nvidia fecha acordos com gigantes sul-coreanas para impulsionar IA A empresa afirmou que sua tecnologia BV-NAND aumenta a densidade de memória em cerca de 58% em relação à sua tecnologia V9 NAND anterior, ao mesmo tempo que melhora o desempenho de leitura, gravação e entrada/saída para atender à crescente demanda de sistemas de IA que exigem armazenamento de maior capacidade e mais eficiente em termos de energia.A Samsung também apresentou modelos conceituais do que descreveu como a primeira arquitetura zHBM e zNAND-O do setor, delineando sua visão para a memória 3D de próxima geração, que empilha células de memória verticalmente para armazenar mais dados.Ao contrário da memória de alta largura de banda convencional, que é colocada junto aos processadores de IA, a zHBM da Samsung empilha a memória verticalmente acima dos aceleradores de IA para reduzir a distância percorrida pelos dados, aumentando a largura de banda e melhorando a eficiência energética.A Samsung afirmou que sua tecnologia de colagem de wafers pode permitir uma densidade de memória mais de 10 vezes maior que a da memória HBM5 convencional, triplicando a eficiência energética e reduzindo a resistência térmica em mais da metade.Embora alguns investidores tenham manifestado preocupação com a demanda de longo prazo por chips de memória, uma vez que a demanda por smartphones na China diminua, analistas apontaram para uma demanda excepcionalmente forte por inteligência artificial.A robustez da demanda por IA foi enfatizada pela divulgação da Samsung na semana passada, de que os contratos de longo prazo com clientes podem eventualmente representar de 60% a 70% de suas vendas de memória.Analistas do Citi afirmaram em nota no mês passado que os estoques em ambas as cadeias de suprimentos de DRAM e NAND permaneceram bem abaixo dos níveis históricos, apesar das preocupações com a desaceleração da demanda do mercado consumidor.