Intel vừa chia sẻ thêm thông tin về tiến trình 18A-P tại Hot Chips, phiên bản nâng cấp của 18A hướng đến cải thiện cả hiệu năng lẫn hiệu suất điện năng. Theo các phép đo trên silicon đã sản xuất, các nhân x86 xây dựng trên công nghệ Gate-All-Around kết hợp cấp nguồn từ mặt sau wafer có thể đạt xung nhịp cao hơn 30% ở điện áp 0,5V so với thiết kế FinFET tương đương.https://tinhte.vn/thread/intel-he-lo-tien-trinh-18a-p-transistor-moi-mat-hon-tiet-kiem-dien-hon.4153157/...Intel 18A-P hứa hẹn tăng 30% xung nhịp ở 0,5V, sẽ dùng cho Diamond Rapids và Nova Lake