На протяжении более чем десятилетия архитектура транзисторов с вертикальным затвором (Fin Field-Effect Transistor, FinFET) служила главным технологическим фундаментом микроэлектроники. Внедренная на узле 22 нм в 2011 году, она позволила преодолеть ограничения классических планарных транзисторов за счет трехстороннего охвата вертикального кремниевого плавника металлическим затвором. Однако физическое масштабирование кремниевых структур ниже технологической границы 3 нм выявило фундаментальные ограничения геометрии FinFET. Читать далее