Secondo fonti industriali, Samsung avrebbe realizzato il primo die DRAM funzionante utilizzando un processo sotto i 10 nm, grazie a una nuova struttura 4F e transistor verticali. La tecnologia 10a promette maggiore densità ed efficienza energetica. La produzione di massa è prevista entro il 2028, mentre il settore guarda già alla futura transizione verso le 3D DRAM.