《科技》SK海力士HBM4最終樣品 傳下月交輝達

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【時報-台北電】全球高頻寬記憶體（HBM）研發競賽白熱化。韓國記憶體大廠SK海力士（SK hynix）傳出在下一代HBM4取得關鍵進展，採用改良電路設計的12層堆疊HBM4晶圓，規劃2026年1月上旬