Полупроводниковая индустрия движется вперед стремительными темпами: чипы становятся все компактнее, производительнее и энергоэффективнее, подпитывая инновации от искусственного интеллекта до автономного транспорта. Но EUV-литография, несмотря на свои достижения, сталкивается с серьезными препятствиями: сложные оптические системы, колоссальные затраты и физические ограничения в разрешении. И тут на горизонте появляется литография B-EUV (Beyond EUV), основанная на мягком рентгеновском излучении. При длине волны 6,5–6,7 нм она позволяет формировать линии порядка 3–4 нм, что делает ее потенциальной альтернативой Hyper-NA EUV-системам. В первую очередь за счет меньшей числовой апертуры в B-EUV. Соответственно, не требуется много зеркал, да и оптика получается проще и дешевле. Давайте разберем, в чем ее уникальность, какие задачи уже решены и что за барьеры еще предстоит преодолеть. Читать далее